硅纳米线晶体管的三维量子模拟：有效质量近似法
其他凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
硅纳米线晶体管（SNWT）是未来集成电路的有前景的器件结构，仿真对于理解其器件物理和评估其最终性能限制至关重要。在本工作中，我们提出了一种三维量子力学模拟方法，用于在有效质量近似下处理各种 SNWT。我们首先假设球形传输，这给出器件的上限性能。采用模式空间方法（无论是耦合的还是非耦合的）可实现高计算效率，使我们的 3D 量子模拟器在大规模器件仿真和设计方面具有实用性。随后采用一种简单模型来处理 SNWT 中的散射，该模型使用所谓 Buttiker 探针，此方法之前用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）仿真。通过这种简单方法，可以检查散射对内部器件特性和端电流的影响，这使我们的模拟器能够用于探索 SNWT 的实际性能极限。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403739,
title = {A Three-Dimensional Quantum Simulation of Silicon Nanowire Transistors with the Effective-Mass Approximation},
author = {Jing Wang and Eric Polizzi and Mark Lundstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403739},
year = {2009}
}
备注
38 pages, 11 figures, submitted to Journal of Applied Physics