纳米线晶体管模拟：原子模型与有效质量模型对比
材料科学
2008-09-22 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文利用 10 轨道 sp3d5s* 原子紧束缚模型描述电子结构，并结合势垒顶部的半经典弹道模型计算晶体管输运特性，研究了纳米线晶体管中电子输运的弹道性能。色散关系通过与导线横截面静电势的二维 Poisson 解自洽计算得出。在强量子限域下，纳米线的有效质量相较于体材料值发生显著变化，且谷分裂等效应强烈解除了谷简并。这些效应在晶格充入电荷后更为显著。仅在特定情况下，有效质量近似在电流 - 电压特性方面与紧束缚模型吻合良好。总体而言，对于小直径导线，有效质量近似失效。
引用
@article{arxiv.0801.0123,
title = {Simulations of Nanowire Transistors: Atomistic vs. Effective Mass Models},
author = {Neophytos Neophytou and Abhijeet Paul and Mark S. Lundstrom and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.0123},
year = {2008}
}
备注
6 pages, 6 figures, appeared in Journal of Computational Electronics, 2008, presented in IWCE-12