局部氧化硅纳米线中表面散射的有效质量模型
材料科学
2010-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一个简单模型，用于描述沿 [110] 方向生长的局部氧化硅纳米线中的最低子带表面散射。为此，我们采用了从三维有效质量方程投影得到的原子尺度缩放有效质量模型，并应用量子输运形式计算了典型势垒轮廓下的电导。我们的结果与使用原子模型结合密度泛函理论 (DFT) 进行的空穴输运计算相比较，表明存在来自势阱的子带内散射机制。
引用
@article{arxiv.1002.0435,
title = {Effective-mass model of surface scattering in locally oxidized Si nanowires},
author = {Panagiotis Drouvelis and Giorgos Fagas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0435},
year = {2010}
}
备注
presented at the 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009 (ULIS 2009)