非晶硅中的小角X射线散射：一项计算研究
无序系统与神经网络
2018-05-23 v1 材料科学
摘要
我们提出了一项关于非晶硅（-Si）中小角X射线散射（SAXS）的计算研究，特别关注孔洞的形貌与微结构。通过生成体积浓度为0.1-0.3%孔洞的超大型高质量-Si网络（如SAXS与正电子湮灭谱实验中所观测），探讨了SAXS散射强度与纳米级不均匀体或孔洞三维结构之间的关系。本文系统研究了小角散射区域中散射强度随网络中孔洞尺寸、形状、数密度及空间分布的变化。我们的结果表明，小角区域的散射强度对孔洞尺寸和总体积分数尤为敏感，而孔洞几何形状或形态对强度分布的影响较不显著。我们还利用Guinier近似和Kratky图，将基于模拟强度值得到的孔洞平均尺寸与由孔洞表面附近原子空间分布所得结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1804.09134,
title = {Small-angle X-ray scattering in amorphous silicon: A computational study},
author = {Durga Paudel and Raymond Atta-Fynn and David A. Drabold and Stephen R. Elliott and Parthapratim Biswas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09134},
year = {2018}
}
备注
13 pages and 14 figures