银河系X射线双星中硅K边的结构及变化性

我们调查了各种吸收态银河系低质量X射线双星(LMXBs)中的硅K边结构，以研究硅在星际和星周介质中的状态。这些LMXBs大多位于银河系核球区域方向，且柱密度均高于 $10^{22}$ cm$^{-2}$。观测使用 \emph{Chandra} 高能透射光栅光谱仪进行。所有源中的硅K边均出现在 1844$\pm$0.001 eV 的能量值处。该边表现出显著的子结构，可描述为位于 1849$\pm$0.002 eV 的近边吸收特征和位于 1865$\pm$0.002 eV 的远边吸收特征。这两个吸收特征均呈现变化性，等效宽度可达几 m\AA。我们可用若干组分描述该边结构：多重边函数、来自尘埃形式硅酸盐的近边吸收超出、X射线散射光深的特征，以及来自电离原子硅的变化温吸收体。测量到的边光深表明其数值远高于原子硅截面和ISM丰度的预期，且似乎与硅酸盐X射线吸收与散射的预测一致。与模型的比较也显示出对较大尘埃颗粒尺寸的偏好。在许多情况下，我们证认出 \sixiii\ 共振吸收，并确定了电离参数在 log $\xi$ = 1.8 至 2.8 之间，湍流速度在 300 至 1000 \kms 之间。这将温吸收体置于X射线双星的近邻区域。在某些数据中，我们观测到 1.840 keV 处的弱边，可能来自中性原子硅的较小贡献。