氧化硅纳米线中的弹道电导
材料科学
2010-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用密度泛函理论结合格林函数散射方法，研究了硅纳米线中局部氧化对空穴输运的影响，即改变纳米线表面硅原子氧化态所产生的影响。对于沿[110]方向生长、直径为数纳米的硅纳米线，研究发现，相对于价带顶，在高达几百毫伏的电压下，氧桥键和背键的引入并不会显著降低空穴输运。因此，平均自由程与晶体管及其他纳米电子学应用中所设想的纳米线长度相当或更长。沿[100]取向的纳米线输运性能较差，因此[110]纳米线取向在空穴迁移率方面具有优势，而某些生长方法优先产生这种取向。
引用
@article{arxiv.1002.0430,
title = {Ballistic Conductance in Oxidized Si Nanowires},
author = {Giorgos Fagas and James C. Greer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0430},
year = {2010}
}