杂质散射下环绕栅极硅纳米线输运的格林函数方法
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们使用非平衡格林函数技术研究了环绕栅极硅纳米线的输运性质。通过考虑电离杂质散射，我们自洽地计算了格林函数，并检验了电离杂质散射对电子密度和电流的影响。对于纳米级硅线，发现由于杂质散射，局域态密度分布失去了干涉振荡，并且发生展宽和偏移。此外，与无杂质散射时的跨导相比，杂质散射导致了作为温度和杂质散射强度函数的跨导表现出不同的特性。
引用
@article{arxiv.0706.2927,
title = {Green's function approach to transport through a gate-all-around Si nanowire under impurity scattering},
author = {J. H. OH and D. Ahn and Y. S. Yu and S. W. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2927},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures