纳米器件中的非线性电子输运：非平衡格林函数与散射方法
介观与纳米尺度物理
2009-07-14 v1
摘要
我们使用非平衡格林函数(NEGF)方法研究纳米器件的非线性弹性量子电子输运性质。格林函数方法允许我们将给定器件的特性展开为外加电压的任意幂次。通过这样做，我们能够将NEGF方法与散射方法联系起来，展示它们的异同，并计算任意阶的电导系数。我们证明了NEGF给出的电子电流在的所有幂次下都是规范不变的，并讨论了分子电子学中标准密度泛函理论(DFT)实现中规范不变性的要求。我们还分析了非线性电导系数关于磁场反转的对称性，以及随着源漏偏压增加对Onsager倒易关系的违反。
引用
@article{arxiv.0907.2073,
title = {Nonlinear electronic transport in nanoscopic devices: Nonequilibrium Green's functions versus scattering approach},
author = {Alexis R. Hernández and Caio H. Lewenkopf},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2073},
year = {2009}
}
备注
12 pages