半导体纳米结构中耗散热声子量子输运的 Büttiker 探针
材料科学
2016-04-20 v2 介观与纳米尺度物理
计算物理
量子物理
摘要
现代半导体纳米器件中声子输运的理论预测需要器件特征的原子级分辨率以及涵盖相干与非相干效应的量子输运模型。非平衡格林函数方法（NEGF）已知能很好地满足这一目的，但其计算成本极高。本工作将非常高效的 Büttiker 探针概念扩展至声子 NEGF，并讨论了该方法的所有影响。本文给出了 Büttiker 探针参数，这些参数在 NEGF 框架内再现了 10K 至 1000K 之间 Si 和 Ge 的实验声子导热。该方法在 SiGe 异质结中的结果说明了界面弛豫对器件热导的影响，以及非弹性散射对声子分布的重要性。
引用
@article{arxiv.1508.06657,
title = {B\"uttiker probes for dissipative phonon quantum transport in semiconductor nanostructures},
author = {K. Miao and S. Sadasivam and J. Charles and G. Klimeck and T. S. Fisher and T. Kubis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.06657},
year = {2016}
}