含石墨烯与氧化石墨烯纳米器件的压敏电阻特性：DFT + NEGF 验证

本文采用密度泛函理论（DFT）方法并结合非平衡格林函数（NEGF）方法，研究了扶手椅型石墨烯及其含氧化石墨烯形式的电子输运和量子电导。计算所得研究体系的$I-V_b$（电流随偏压变化）特性显示，在所考虑的偏压和栅压下存在隧穿现象。除输运性质外，还计算了研究体系的电子性质，包括态密度（DOS）。对结果的仔细考察表明，石墨烯的$I-V_b$曲线在某些偏压下表现为$I\propto V_be^{\lambda V_b}$，而含氧化石墨烯形式的趋势在整个施加偏压范围内均与压敏电阻（VDR-VARiable resISTOR）一致，即$I\propto V_b^\beta$。