芘及其硅掺杂变体的量子输运：一种 DFT-NEGF 方法
介观与纳米尺度物理
2014-02-24 v2
摘要
利用密度泛函理论 (DFT) 结合非平衡格林函数 (NEGF) 方法，研究了半无限铝纳米链之间芘分子及其硅掺杂变体的量子电导特性。电子输运计算在 0.0 至 +2.0 V 的偏压范围内进行，步长为 0.1 V，并在 -3.0、0.0 和 +3.0 V 的栅极电势下进行。在所考虑的偏压和栅极电势下的电流 - 偏压曲线显示出具有负微分电阻 (NDR) 的区域。讨论了栅极变化对 NDR 特性的影响，包括 NDR 峰的数量、偏压范围和峰值处的最大电流，并讨论了该器件作为纳米开关和多纳米开关的潜在适用性。此外，还展示了透射谱以及态密度 (DOS) 和投影态密度 (PDOS)，并根据 DOS 和 PDOS 的变化讨论了透射变化。还展示并讨论了零偏压下量子电导随栅极电势的变化。
引用
@article{arxiv.1401.7440,
title = {The Quantum Transport of Pyrene and its Silicon-Dopped Variant: A DFT-NEGF Approach},
author = {Alireza Rastkar Ebrahimzade and Badie Ghavami and Jaber Jahanbin Sardroodi and Sadegh Afshari and Mina Yaghoobi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7440},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 7 figures