硅纳米线的结构、电子和输运性质
介观与纳米尺度物理
2019-10-22 v1
摘要
本文综述了硅纳米线的理论。我们重点关注直径低于10纳米的纳米线，在此尺度下量子效应变得重要，其性质与体硅显著不同。这些纳米线可以通过电子结构模拟方法进行有效处理，并将成为未来纳米电子器件中最重要的功能模块之一。首先，我们回顾了硅纳米线的结构性质，强调了生长取向、横截面和边界晶面之间的密切联系。其次，我们讨论了纯净和掺杂纳米线的电子结构，这是其在新型电子器件中应用的关键。最后，我们回顾了输运性质，其中可能包含基于纳米线器件性能的一些最重要限制。这些系统的许多独特性质既是挑战，也是重大技术进步的机会。
引用
@article{arxiv.0910.2553,
title = {Structural, electronic, and transport properties of silicon nanowires},
author = {Riccardo Rurali},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2553},
year = {2019}
}
备注
Reviews of Modern Physics, in press