二氧化硅纳米线的电子性质
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
使用广义梯度近似的赝势密度泛函电子结构计算研究了氧化硅的细纳米线。研究了无限线性Si-O链和锯齿形Si-O链。还优化了由三维周期性重复的Si4O8单元组成的线，但发现该结构稳定性有限。计算了这些氧化硅纳米线的几何结构、电子结构和Hirshfeld电荷。结果表明，Si-O链是金属性的，而锯齿形链和Si4O8纳米线是绝缘体。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603485,
title = {Electronic properties of silica nanowires},
author = {G. Bilalbegovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603485},
year = {2009}
}