弹性势垒与纳米级开关网络的形成
软凝聚态物质
2010-09-14 v1
摘要
氧化硅(SiOx)薄膜是嵌入绝缘g-SiO2基体中的半导体c-Si纳米团簇(NC)的混合物。Tour等人已证明，在施加电场驱动下，沟槽薄膜几何结构能使NC形成半导体丝状阵列。形成可逆纳米级开关网络(NSN)所需的电场在几个周期内迅速降低，或在600°C退火后以更少周期降低，且该网络在700°C下保持稳定。本文讨论了一种弹性机制，该机制解释了为何跨越平面Si-SiOx界面的垂直边缘是形成NSN的必要条件。讨论表明，形成机制是固有的，不必局限于边缘局部发生，只要存在未钉扎的纳米级垂直边缘几何结构，即可在SiOx薄膜中的任何位置发生。
引用
@article{arxiv.1009.2114,
title = {Elastic Barriers and Formation of Nanoscale Switching Networks},
author = {J. C. Phillips},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2114},
year = {2010}
}