[001] 硅衬底上 14 nm 厚 NiSi 层中的假异构结构
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在由两种不同晶格构成的体系中，若发生异构关系，结构稳定性得以保证，体系可保持应力，避免形成多晶薄膜。若薄膜厚度不超过临界值，该现象才会发生。本文表明，尽管 NiSi 具有正交晶体结构，14 nm 厚的 NiSi 层仍可通过形成 transrotational 域的方式，三维地适应 Si 立方晶格。每个域通过连续弯曲 NiSi 晶格而形成，保持与衬底结构的紧密关系。transrotational 域的存在不会导致层面粗糙化，反而使采用相同退火工艺形成的 24 nm 厚层相比具有更好的结构和电气稳定性。这些结果对当前用于电子器件金属化的 NiSi 层厚度缩放具有重要意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510660,
title = {Pseudoepitaxial transrotational structures in 14 nm-thick NiSi layers on [001] silicon},
author = {Alessandra Alberti and Corrado Bongiorno and Brunella Cafra and Giovanni Mannino and Emanuele Rimini and Till Metzger and Cristian Mocuta and Thorsten Kammler and Thomas Feudel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510660},
year = {2007}
}
备注
18 pages with 5 colour figures