通过结构调控提高 BaSi2 的超导转变温度
超导电性
2015-05-20 v1
摘要
我们联合实验和理论研究层状二元硅化物 BaSi2 的超导相。与石墨或类二硼化物超导体的层状 AlB2 结构相比，二元硅化物的六方结构中硅原子的 sp3 排列导致形成波纹状片层。通过高压合成方法，我们能够改变这些片层的弯曲程度，当硅平面变平时，超导转变温度从 4 K 提高到 8.7 K。通过基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们解释了系统的电子和声子性质如何受到弯曲变化的强烈影响。这种机制可能存在于其他插层型层状超导体中，为通过控制内部结构参数来调控超导电性开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1011.1351,
title = {Enhancing the superconducting transition temperature of BaSi2 by structural tuning},
author = {José A. Flores-Livas and Régis Debord and Silvana Botti and Alfonso San Miguel and Miguel A. L. Marques and Stéphane Pailhès},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.1351},
year = {2015}
}
备注
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