硅间层对 Ti/Ni 多层结构过渡层形成的影响研究
材料科学
2025-07-08 v1
摘要
本研究对厚度为 4 nm 和 10 nm 的 Ti/Ni 多层结构的化学、结构和磁性进行了全面调查。特别关注 Ni-Ti 界面过渡层的表征及其薄硅阻挡层对形成的影响。采用 X射线光电子能谱 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、X射线反射率 (XRR) 和 SQ 磁学仪等手段进行分析。在 Ni-Ti 界面识别出最高可达 1.2 nm 厚度的延伸型过渡层，主要由杂合物相 Ni3Ti 组成。将超薄硅缓冲层置于界面后，可显著抑制杂合物相的形成，可能是由于钛硅化物的形成所致。此外，还发现将 Si 层置于样品表面后，在暴露于大气环境中会形成硅氧化物，作为被动层抑制 Ni 和 Ti 层在多层结构最顶层周期内的氧化。
引用
@article{arxiv.2505.08569,
title = {Influence of Silicon Interlayers on Transition Layer Formation in Ti/Ni Multilayer Structures of Different Thicknesses},
author = {S. S. Sakhonenkov and A. U. Gaisin and A. S. Konashuk and A. V. Bugaev and R. S. Pleshkov and V. N. Polkovnikov and E. O. Filatova},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.08569},
year = {2025}
}
备注
23 pages, 8 figures, 4 tables