基于有机半导体Alq3的多层膜中超薄Co薄膜的界面效应
材料科学
2010-10-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过原子力显微镜、SQUID磁强计和核磁共振(NMR)系统研究了AlOx势垒层厚度对Ta/Co/(AlOx)/Alq3/Si杂化结构的磁性和形貌性质的影响。所有使用的技术都指出，需要在Alq3上获得磁性能良好的钴层时，势垒层厚度为2 nm。59Co NMR测量表明，AlOx势垒层导致形成具有“缺陷”钴的界面层，这有利于生长具有良好磁性能的“体相”钴。
引用
@article{arxiv.1010.3912,
title = {Interface effects on an ultrathin Co film in multilayers based on the organic semiconductor Alq3},
author = {A. A. Sidorenko and C. Pernechele and P. Lupo and M. Ghidini and M. Solzi and R. De Renzi and I. Bergenti and P. Graziosi and V. Dediu and L. Hueso and A. T. Hindmarch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3912},
year = {2010}
}
备注
4 pages, Accepted for publication in Applied Physics Letters