Scifaro

中文

超薄Al/AlOx/Al界面的原子和电子结构

材料科学 2008-03-18 v1

作者: M. Dieskova , M. Konopka , P. Bokes

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

基于AlO $x$ 的金属间界面是约瑟夫森结或最近具有显著隧穿磁阻的结的最常用基础。我们进行了从头算DFT/GGA近似水平下此类界面可能局部几何结构的计算研究,以补充最近关于超薄AlO $x$ 基界面的实验数据。我们提出了两种竞争结构,并通过其电子性质、碎裂能和界面能对其进行了表征。

关键词

Al/AlOx/Al界面约瑟夫森结隧穿磁阻 DFT 电子结构界面能

引用

@article{arxiv.cond-mat/0608718,
  title  = {Atomic and electronic structure of ultra-thin Al/AlOx/Al interfaces},
  author = {M. Dieskova and M. Konopka and P. Bokes},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608718},
  year   = {2008}
}

备注

Presented at the ECOSS24, submitted to the proceeding - special issue of Surf. Science