$Al/AlO_x/Al$ 层系中用于 Josephson 结的 AlOx 层的结构与纳米化学性质
材料科学
2019-11-27 v1 量子物理
摘要
薄 层的结构与纳米化学性质对先进电子器件的性能具有决定性影响。例如，它们常被用作基于 Josephson 结的超导器件中的隧穿势垒。然而，迄今为止关于氧化参数对结构与纳米化学性质影响的系统研究很少，因为多数研究聚焦于 层的电学性质。本研究旨在通过结合透射电子显微镜与电子能量损失谱，分析不同制备 层的结构与纳米化学性质并将其与制备参数关联，从而弥补这一空白。针对 作为超导 Josephson 结中隧穿势垒的应用， 层系被沉积于 Si 衬底上。我们将展示非晶 层的氧含量与结构强烈依赖于制备工艺与氧化参数。Al 的动态与静态氧化产生缺氧非晶 层，其氧含量范围从 x = 0.5 到 x = 1.3，取决于氧压与衬底温度。化学计量晶态 层的较厚层通过 的电子束蒸发与反应溅射沉积生长。
引用
@article{arxiv.1910.12963,
title = {Structural and Nanochemical Properties of AlOx Layers in $Al/AlO_x/Al$-Layer Systems for Josephson Junctions},
author = {S. Fritz and L. Radtke and R. Schneider and M. Luysberg and M. Weides and D. Gerthsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.12963},
year = {2019}
}