利用原位磁控溅射和原子层沉积制备 Nb/Al2O3/Nb 约瑟夫森结
材料科学
2013-09-18 v1
摘要
原子层沉积（ALD）为沉积超薄低缺陷密度隧道势垒提供了一种有前景的方法，该方法已在高真空磁控溅射系统中实现，用于在超导体 - 绝缘体 - 超导体（SIS）约瑟夫森结中原位沉积 ALD-Al2O3 隧道势垒。在 Al 润湿的 Nb 底电极上生长了平滑的 ALD-Al2O3 势垒层，随后利用溅射生长了顶部 Nb 电极。对这些三层结构制成的约瑟夫森结进行的初步低温电流 - 电压特性（IVC）测量证实了 ALD-Al2O3 势垒层的完整性。然而，结的乘积远小于 Ambegaokar-Baratoff 公式预期的值，表明界面处存在显著的库珀对破坏机制。
关键词
引用
@article{arxiv.1309.4410,
title = {Fabrication of Nb/Al2O3/Nb Josephson Junctions using in situ Magnetron Sputtering and Atomic Layer Deposition},
author = {Rongtao Lu and Alan J. Elliot and Logan Wille and Bo Mao and Siyuan Han and Judy Z. Wu and John Talvacchio and Heidi M. Schulze and Rupert M. Lewis and Daniel J. Ewing and H. F. Yu and G. M. Xue and S. P. Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.4410},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures