氧化铝隧道势垒层中的氧化学计量与不稳定性
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们展示了 X 射线光电子能谱数据，表明先前观察到的、在室温热氧化形成的薄 AlOx 层表面上的化学吸附氧，是由氧化物中的氧空位束缚的。增加氧化物上的电场，无论是通过金属电极覆盖还是通过电子轰击，都会驱动这些表面化学吸附氧进入空位位置。由于这些氧位点的结合能较低，随后的氧暴露会将这些离子拉回表面，重新形成化学吸附的 O。包含电子轰击 AlOx 势垒的 Al/AlOx/Al 隧道结在 4.2 K 下表现出低频结电阻噪声水平的显著降低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501354,
title = {Oxygen stoichiometry and instability in aluminium oxide tunnel barrier layers},
author = {E. Tan and P. G. Mather and A. C. Perrella and J. C. Read and R. A. Buhrman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501354},
year = {2009}
}