脉冲激光沉积 SrTiO₃ 上 BaSnO₃ 薄膜的氧空位工程
材料科学
2025-03-18 v1
摘要
我们通过精确控制背景氧压（范围从 0.0004 mbar 到 0.13 mbar），展示了脉冲激光沉积（PLD）生长的钡锡酸盐（BaSnO₃，BSO）薄膜中氧含量的可调性。引入氧空位显著改变了 BSO 薄膜的结构特性，随着空位浓度的增加，薄膜的面外晶格参数和晶胞体积单调膨胀。利用 X 射线光电子能谱（XPS）对氧空位的逐步形成进行了光谱追踪，直接揭示了空位的演化过程。此外，我们表明 BSO 中的化学计量比对 BSO/LaScO₃ 异质结的面电阻具有关键的调控作用，从而实现界面的金属性电子传导。这种氧含量控制方法为调控界面的电子特性提供了稳健的策略，突显了其在氧化物电子学和功能界面工程中的潜力。
引用
@article{arxiv.2503.11957,
title = {Oxygen vacancy engineering in pulsed laser deposited BaSnO$_3$ thin films on SrTiO$_3$},
author = {Wilson Román Acevedo and Myriam H. Aguirre and Beatriz Noheda and Diego Rubi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.11957},
year = {2025}
}
备注
13 pages, 4 figures