通过应变调控SrTiO$_3$薄膜中氧空位扩散
材料科学
2018-07-04 v1
摘要
理解氧化物中氧空位在不同外部刺激下的扩散对于设计基于离子的电子器件、改善催化性能等至关重要。在本稿件中，我们利用AFM针尖产生的外电场，获得了压缩/拉伸外延应变下SrTiO薄膜中氧空位的室温扩散系数。拉伸应变使扩散系数显著增加，促进了空位在薄膜中的迁移。此外，还研究了针尖偏压、脉冲时间和温度对局域空位浓度的影响。这些是基于离子的忆阻器件中非易失态产生与稳定化的重要控制参数。我们的发现揭示了应变在薄膜氧化物氧空位迁移调控中的关键作用。
引用
@article{arxiv.1807.01008,
title = {Tuning oxygen vacancy diffusion through strain in SrTiO$_3$ thin films},
author = {Lucía Iglesias and Andrés Gómez and Martí Gich and Francisco Rivadulla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.01008},
year = {2018}
}
备注
6 figures