SnO2表面及次表面位置氧空位的密度泛函研究
材料科学
2008-06-06 v2
摘要
在全电子高斯和赝势平面波方法的框架下，利用密度泛函理论研究了SnO2(110)和(101)表面及次表面位置的氧空位。全电子计算采用B3LYP交换关联泛函进行，准确估算了能隙和态密度。我们表明，体相氧空位导致在价带顶上方约1 eV处出现一个完全占据的平能级，以及一个与导带共振的空能级。表面氧空位强烈改变了表面能带结构，伴随着带隙态的出现，这些带隙态覆盖了大部分禁能窗口或仅覆盖其中一小部分，具体取决于空位距表面的深度。氧空位也能解释相对于化学计量表面的电子亲和势变化。通过将当前结果与现有实验数据进行比较，发现了对这些结果的重大支持。
引用
@article{arxiv.0804.3460,
title = {Density functional study of oxygen vacancies at the SnO2 surface and subsurface sites},
author = {F. Trani and M. Causa' and D. Ninno and G. Cantele and V. Barone},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.3460},
year = {2008}
}
备注
9 pages, 10 figures; corrected typos