氧空位与羟基表面功能化 SnO_2 纳米颗粒的光致发光
材料科学
2015-09-09 v1
摘要
我们首次报道了在 2.54 eV (488 nm) 和 2.42 eV (514.5 nm) 的低能激发下，羟基表面功能化 SnO_2 量子点 和纳米颗粒 的发光特性。该发光是对普遍观察到的 'O' 缺陷发光的补充。将所制备的 SnO_2 量子点在环境条件下于不同温度退火，以产生尺寸不同的纳米颗粒。随后，根据 Raman 光谱低频处观察到的声学振动和透射电子显微镜测量结果计算了纳米颗粒的平均尺寸。在 3.815 eV (325 nm) 激发下的详细光致发光研究揭示了面内和桥接 'O' 空位的性质，以及在不同退火温度下发生的吸附和解吸。X 射线光电子能谱研究也支持这一观察结果。与表面 -OH 官能团相关的缺陷能级在 SnO_2 纳米颗粒中表现出约 1.96 eV 的宽发光峰，本文借助温度依赖性研究对此进行了详细阐述。
引用
@article{arxiv.1508.07783,
title = {Photoluminescence of oxygen vacancies and hydroxyl group surface functionalized SnO_2 nanoparticles},
author = {Venkataramana Bonu and Arindam Das and S. Amirthapandian and Sandip Dhara and Ashok Kumar Tyagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.07783},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 11 figures, journal