面向非光降解的高Q微腔增强CuInS$_{2}$/ZnS胶体量子点光学特性

我们报道了通过滴涂在SiO$_{2}$/Si衬底和高品质因子微盘（MDs）上、在不同大气条件下CuInS$_{2}$/ZnS胶体量子点（QDs）的光致发光（PL）光谱的时间演化。在低激发功率下观察到由于光氧化导致的快速PL衰减、峰蓝移和线宽展宽。随着激发功率进一步增加，PL峰位置显示红移且线宽变窄，这归因于光诱导团聚增强了不同QD之间的F$\ddot{o}$rster共振能量转移。氧气在光诱导PL衰减中起重要作用，这通过真空中光漂白效应减弱得到验证。当QD滴涂在MDs上时，光氧化和光漂白加速，因为泵浦激光与腔模耦合使激发效率大大增强。然而，当发射光子与腔模耦合时，由于MDs在室温（RT）下提取效率提高和Purcell效应，实现了超过20倍的PL增强，在20 K时达35倍。利用高品质因子腔的优势，可通过小激发功率但强PL强度来避免光漂白。这种无光降解的高效PL发射对于在RT下使用CuInS$_{2}$ QDs作为高效光子发射器非常有前景，因为光降解一直限制着胶体量子点的实际应用。