SnO2 纳米带中的光致发光与高温持久光电导实验
材料科学
2012-12-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们在空气、氦气和真空氛围下，研究了单个氧化锡 (SnO2) 纳米带中持久光电导 (PPC) 效应随温度的变化，并进行了低温光致发光测量，以研究光学跃迁并确定受主/施主能级及其在带隙中的最佳表征。在紫外 (UV) 照射下且在 200 至 400K 的温度范围内，我们观察到光电导的快速且强烈的增强，且诱导光电流的最大值随着温度或氧浓度的降低而增加。关闭 UV 照射后，诱导光电流以长达数小时的寿命衰减。光电导和 PPC 结果通过 SnO2 纳米带表面分子氧的吸附和解吸得到解释。基于 PPC 衰减的温度依赖性，发现激活能为 230 meV，这对应于自由空穴从受主能级热电离到价带所需的能量，与所呈现的光致发光结果一致。分子氧与空穴的复合是金属氧化物半导体中 PPC 效应的起源，因此，PPC 效应与文献中通常认为的氧空位无关。
引用
@article{arxiv.1212.2550,
title = {Photoluminescence and High Temperature Persistent Photoconductivity Experiments in SnO2 Nanobelts},
author = {E. R. Viana and J. C. González and G. M. Ribeiro and A. G. de Oliveira},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.2550},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 10 figures, submitted to "The Journal of Physical Chemistry C"