少层 PtSe2 场效应晶体管中负光电导与正光电导的共存
材料科学
2021-08-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
具有超薄沟道区的二硒化铂(PtSe_2)场效应晶体管表现出对温度和环境压强敏感的 p 型电导率。暴露于超连续白光光源下发现,正光电导与负光电导在同一器件中共存。其中一种光电导对另一种的主导地位由环境压强控制。事实上,在高真空中观察到的正光电导在压强升高时转变为负光电导。密度泛函理论计算证实,PtSe_2 表面物理吸附的氧分子充当受主。由光辐照引起的氧分子从表面脱附,导致沟道电导率中的载流子浓度降低。理解物理吸附氧分子与 PtSe_2 薄膜之间发生的电荷转移,为调控材料载流子密度与光学性质提供了一条有效途径。
引用
@article{arxiv.2107.09492,
title = {Coexistence of negative and positive photoconductivity in few-layer PtSe2 field-effect transistors},
author = {Alessandro Grillo and Enver Faella and Aniello Pelella and Filippo Giubileo and Lida Ansari and Farzan Gity and Paul K. Hurley and Niall McEvoy and Antonio Di Bartolomeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.09492},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 4 figure panels