超薄 PdSe2 背栅晶体管中的场发射
应用物理
2020-08-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了具有超薄二硒化钯(PdSe2)沟道的背栅场效应晶体管的电输运。该器件常开,并在低压下呈现主导的 n 型导电。电子导电,结合尖锐边缘以及功函数随层数减少而降低的特性,为 PdSe2 纳米片在真空电子学中的应用开辟了道路。本工作中,我们展示了少层 PdSe2 纳米片的场发射,电流可达微安级,开启电场低于 100 V/μm,从而扩展了这一近期被分离出的五边形层状材料的大量应用。
引用
@article{arxiv.2002.05454,
title = {Field emission in ultrathin PdSe2 back-gated transistors},
author = {A. Di Bartolomeo and A. Pelella and F. Urban and A. Grillo and L. Iemmo and M. Passacantando and X. Liu and F. Giubileo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.05454},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 4 figures