基于混合表面钝化胶体 PbS 纳米片的高性能 n 型和 p 型场效应晶体管
材料科学
2018-12-17 v1
摘要
胶体合成纳米材料因其制备简单和成本低廉，是未来电子器件最有希望的候选者之一。具体而言，胶体纳米片备受关注，因为它们可通过胶体方法便捷制备，同时具备二维优势。为应用这些材料，相应的晶体管行为应可调控且具备高性能。我们表明胶体硫化铅纳米片的晶体管性能可通过改变表面钝化、接触金属或将其暴露于空气中来调节。我们发现，在合成中添加卤素离子可通过钝化表面缺陷，提高这些晶体管的电导率、场效应迁移率和开关比。实现了场效应迁移率为 248 cm^2V^-1s^-1、开关比为 4x10^6 的优异 n 型行为。这些条带的导电性可通过改变接触金属并向工作环境添加氧气，从 n 型转变为 p 型。作为后摩尔时代的一种可能解决方案，实现如胶体材料这类新型高质量半导体至关重要。在这方面，我们的结果可提供新的见解，有助于加速其面向潜在应用的优化。
引用
@article{arxiv.1804.02974,
title = {High Performance n- and p-Type Field-Effect Transistors Based on Hybridly Surface-Passivated Colloidal PbS Nanosheets},
author = {Mohammad Mehdi Ramin Moayed and Thomas Bielewicz and Heshmat Noei and Andreas Stierle and Christian Klinke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.02974},
year = {2018}
}
备注
29 pages, 6 figures, supporting information, Adv. Funct. Mater. (2018)