掺杂选择性涂层的轴向 p- 和 n型碳纳米管晶体管
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
制造了具有经过掩膜生长的单壁碳纳米管（SWNT）并进行后续栅极介质涂层的碳纳米管场效应晶体管（FET），其结构为轴向栅极。观察到FETs中的电子 Fabry-Perot 干涉，表明涂层结构中的运输呈球形。通过结合模式化生长 SWNT 数组和反馈控制的电气击穿来选择所需的半导� SWNT，实现了高性能 SWNT FET 的可靠大规模制造。通过掺杂选择性的碳纳米管涂层实现了 p型和 n型经过掩膜的 SWNT FET，使基于互补器件结构的活性电路制造成为可能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508670,
title = {Coaxial p- and n-type carbon nanotube transistors with dopant-selective coatings},
author = {Haibing Peng and Jene A. Golovchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508670},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 3 figures