基于第一性原理的单壁碳纳米管与硅纳米线无结型晶体管分析
介观与纳米尺度物理
2014-04-29 v1
摘要
由硅制成的无结型晶体管此前已通过实验和模拟得到验证。无结型器件不需要制造陡峭的源-漏结，因此在激进几何结构中更容易实现。在本文中，我们探索了一种用于激进缩放器件的类似架构，其沟道由掺杂碳纳米管（CNTs）构成。我们研究了 n 型和 p 型掺杂的环栅（GAA）场效应晶体管（FET）结构。将基于 CNT 的无结型 FET 的电流-电压特性和亚阈值特性与具有可比尺寸的硅纳米线（SiNW）无结型 FET 进行了比较。尽管 CNT 沟道的导通电流更高，但由于 CNT 带隙较小，其器件特性比硅器件差。
引用
@article{arxiv.1303.3755,
title = {First Principle-based Analysis of Single-Walled Carbon Nanotube and Silicon Nanowire Junctionless Transistors},
author = {Lida Ansari and Baruch Feldman and Giorgos Fagas and Carlos Martinez Lacambra and Michael G. Haverty and Kelin J. Kuhn and Sadasivan Shankar and James C. Greer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3755},
year = {2014}
}