亚10纳米尺度碳纳米管场效应晶体管的紧凑虚拟源模型——第二部分：外在元件、性能评估与设计优化
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1
摘要
我们提出了一种数据校准的碳纳米管(CNT)场效应晶体管(CNFET)紧凑模型，该模型包含接触电阻、源漏直接隧穿电流与带间隧穿电流。该模型捕捉了尺寸缩放效应以及由寄生效应引起的性能退化，并用于根据CNT直径、CNT密度、接触长度以及针对目标接触栅距的栅极长度的选择，研究CNFET驱动电流与漏电流之间的权衡。我们描述了在缩放极限附近结合物理洞察力的CNFET器件参数协同优化研究，并预测了接触栅距估计为31 nm的5 nm技术节点处CNFET的性能。基于包括寄生电阻、电容和隧穿漏电流的分析，180 CNTs/μm的CNT密度将使CNFET技术满足ITRS驱动电流目标(1.33 mA/μm)，这在现代实验能力可及范围之内。
引用
@article{arxiv.1503.04398,
title = {A Compact Virtual-Source Model for Carbon Nanotube Field-Effect Transistors in the Sub-10-nm Regime - Part II Extrinsic Elements, Performance Assessment, and Design Optimization},
author = {Chi-Shuen Lee and Eric Pop and Aaron D. Franklin and Wilfried Haensch and H. -S. Philip Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04398},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 14 figures, will be submitted to IEEE transactions on electron devices