亚10纳米尺度碳纳米管场效应晶体管的紧凑虚拟源模型——第一部分：本征元件
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1
摘要
我们提出了一种基于虚拟源(VS)方法、经数据标定的碳纳米管(CNT)场效应晶体管(CNFET)紧凑模型，描述了本征的电流-电压和电荷-电压特性。该模型的特征包括：(i) 从栅长小至15 nm的实验器件中提取的载流子VS速度；(ii) 依赖于CNT直径的载流子有效迁移率和速度；(iii) 依赖于器件尺寸的短沟道效应，如反亚阈值斜率退化和漏致势垒降低；(iv) 小信号电容，包括CNT量子电容效应，以解释高栅压下的栅电容减小。该CNFET模型捕捉了尺寸缩放效应，适用于亚10纳米技术节点的技术基准测试和性能预测。
引用
@article{arxiv.1503.04397,
title = {A Compact Virtual-Source Model for Carbon Nanotube Field-Effect Transistors in the Sub-10-nm Regime-Part I Intrinsic Elements},
author = {Chi-Shuen Lee and Eric Pop and Aaron D. Franklin and Wilfried Haensch and H. -S. Philip Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04397},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 10 figures, will be submitted to IEEE transactions on electron devices