基于半经验方法的碳纳米管场效应晶体管直流热建模
计算物理
2015-03-18 v1 材料科学
摘要
提出了一种碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的新直流热模型。该模型基于依赖于偏置条件的三阶多项式拟合参数。该模型包含三个热参数，分别描述CNTFET在饱和漏极电流、阈值电压和膝区M指数随温度的行为。为了确认所提出热模型的有效性，在非常不同的热条件下进行了模拟，获得的I-V特性与其他模型完全吻合。该模型的CPU计算时间非常低，使其特别适合在CAD应用中实现。
引用
@article{arxiv.1503.05116,
title = {DC thermal modeling of CNTFETs based on a semi-empirical approach},
author = {Roberto Marani and Anna Gina Perri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05116},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 2 figures; International Journal of Advances in Engineering and Technology, April 2015