碳纳米管场效应晶体管电学特性的温度依赖性：一项量子模拟研究
材料科学
2017-02-07 v1
摘要
通过开发二维（2D）全量子模拟，全面研究了碳纳米管场效应晶体管（CNTFETs）在不同温度下的特性。模拟采用非平衡格林函数（NEGF）形式体系内二维泊松-薛定谔方程的自洽求解进行。研究了CNTFETs的主要特性，如电流能力、漏极电导、跨导和亚阈值摆幅（SS）。模拟结果表明，CNTFET的漏极电导和导通电流随温度从250 K升高到500 K而增加。同时，由于关态电流增长更快，开关电流比恶化。还研究了温度对短沟道效应（SCEs）（如漏致势垒降低（DIBL）和阈值电压滚降）的影响。结果表明，亚阈值摆幅与DIBL参数几乎线性相关，因此这些参数的退化具有相同的起源，并受温度完美影响。
引用
@article{arxiv.1702.01148,
title = {Temperature Dependence of Electrical Characteristics of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors: A Quantum Simulation Study},
author = {Ali Naderi and S. Mohammad Noorbakhsh and Hossein Elahipanah},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01148},
year = {2017}
}
备注
Journal of Nanomaterials 2012