石墨烯纳米带隧穿晶体管中的非线性温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2009-10-01 v1
摘要
通常假设隧穿电流与温度无关。通过进行原子级输运模拟，我们相反地表明，石墨烯纳米带（GNR）带间隧穿晶体管（TFET）中的亚阈值隧穿电流应表现出显著且非线性的温度依赖性。此外，这种非线性的性质会随源/漏掺杂和垂直电场的变化而改变，表明如果正确理解这种非线性，它可能为隧穿现象提供重要见解。最后，通过开发一种伪解析方法，我们预测这种温度依赖性并非 GNR 所独有，而应是任何带间隧穿晶体管的普遍行为，与沟道材料无关。
引用
@article{arxiv.0909.5445,
title = {Non-Linear Temperature Dependence in Graphene Nanoribbon Tunneling Transistors},
author = {Youngki Yoon and Sayeef Salahuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.5445},
year = {2009}
}