基于量子模拟的顶栅碳纳米管场效应晶体管：与实验的对比
介观与纳米尺度物理
2021-10-27 v2 应用物理
摘要
我们给出基于顶栅架构的碳纳米管场效应晶体管（CNT-FETs）的量子模拟，并与沟道长度为 15 nm 器件的电学表征进行对比。非平衡格林函数（NEGF）量子输运方法结合 CNT 电子结构的 描述，被证明与所报道实验数据高度吻合。研究了影响沟道静电控制的因素，揭示出需要对 CNT 的静电学与电子能带结构进行详细建模才能与实验达成定量一致。
引用
@article{arxiv.2108.07013,
title = {Top-Gated Carbon Nanotube FETs from Quantum Simulations: Comparison with Experiments},
author = {Alfonso Sanchez-Soares and Thomas Kelly and Giorgos Fagas and James C. Greer and Edward Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07013},
year = {2021}
}