基于 DFT 模型的 bulk-modulated 碳纳米管场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报告了基于密度泛函理论 (DFT) 的碳纳米管 (CNT) 场效应晶体管 (FET) 的非平衡传输性质的原子尺度模拟。所得结果基于非平衡 Green's 函数 (NEGF) 框架的自洽方法获得。我们的研究重点关注一种新型器件，即所谓的 bulk-modulated CNTFET。最近的实验实现 \cite{Chen,Lin_condMat} 表明，这类器件可以表现出优异的性能，甚至优于当前成熟的 Schottky 阻挡 (SB)-调制晶体管。我们的计算旨在从原子尺度探索支配这些新型器件传输的物理机制。我们强调了一维屏蔽在栅极和漏极诱导电流调制机制中的作用，同时指出，对纳米管量子电容的正确评估的重要性。分析了器件的工作 regimes 和性能极限，同时强调了准一维短通道效应的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512086,
title = {DFT modelling of bulk-modulated carbon nanotube field-effect transistors},
author = {L. Latessa and A. Pecchia and A. Di Carlo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512086},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 14 figures