碳纳米管晶体管的多尺度模拟研究
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
在快速发展的碳纳米管电子学领域，需要多尺度模拟方法来处理科学和技术问题。本文描述了一项正在进行的、旨在发展碳纳米管电子学多尺度模拟综合能力的工作。我们重点关注该体系中的一个要素，即通过使用非平衡格林函数（NEGF）形式自洽求解泊松方程和薛定谔方程来模拟弹道碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）。NEGF输运方程在两个层面上求解：(i) 使用碳原子pz轨道作为基组的半经验原子层面，以及 (ii) 原子模式空间方法，该方法仅处理沿管周方向的少数子带，同时沿载流子输运方向保留原子网格。模拟实例表明，这些方法能够描述纳米管晶体管中的量子输运效应。本文最后简要讨论了如何将这些半经验器件级模拟与多尺度体系中的从头算、连续介质和电路级模拟联系起来。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312551,
title = {Towards Multi-Scale Modeling of Carbon Nanotube Transistors},
author = {Jing Guo and Supriyo Datta and Mark Lundstrom and M. P. Anantam},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312551},
year = {2007}
}