面向现实大尺寸纳米线晶体管原子建模的鲁棒模空间方法
介观与纳米尺度物理
2018-01-30 v2
摘要
对现实大尺寸器件进行原子级量子输运模拟在计算上要求极高。广泛使用的模空间 (MS) 方法可以显著降低数值成本，但对于原子级全带模型，通常很难获得良好的 MS 基。在本工作中，开发了一种鲁棒且并行的算法来优化原子纳米线的 MS 基。这使得能够在使用小型计算机集群的情况下，对具有 现实横截面的纳米线 MOSFET 进行紧束缚非平衡格林函数 (NEGF) 模拟。该方法被用于比较具有不同沟道长度和横截面的 InGaAs 和 Si 纳米线 nMOSFET 的性能。具有全带精度的模拟结果表明，对于高达约 的横截面，InGaAs 纳米线 nMOSFET 相较于其 Si 对应物没有驱动电流优势。
引用
@article{arxiv.1710.08064,
title = {Robust Mode Space Approach for Atomistic Modeling of Realistically Large Nanowire Transistors},
author = {Jun Z. Huang and Hesameddin Ilatikhameneh and Michael Povolotskyi and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08064},
year = {2018}
}
备注
8 pages (double column), 13 figures, 1 table