基于有效透射系数新概念的III-V族场效应晶体管精确电流模型
介观与纳米尺度物理
2020-06-14 v1 应用物理
计算物理
摘要
本工作中，我们研究化合物半导体材料埋沟量子阱MOSFET中的输运现象，旨在为器件电流建立简单而有效的模型。器件仿真在量子弹道区采用非平衡格林函数（NEGF）形式体系进行。采用新颖的有效透射系数概念所模拟的电流电压特性可高精度拟合已报道的实验数据。所提模型亦能有效捕捉其他化合物半导体材料基场效应晶体管的输运特性。所提有效透射系数概念及其模型本身成为一种简单而强大的器件分析工具，可在预制备阶段广泛用于预测各类化合物半导体器件的性能。该模型在掺杂浓度与沟道长度缩放的器件特性方面亦表现出一致性。因此，该模型可帮助器件或工艺工程师对器件进行调优以获得最佳性能。
引用
@article{arxiv.2006.03681,
title = {An Accurate Current Model for III-V Field Effect Transistors Using a Novel Concept of Effective Transmission Coefficient},
author = {Ehsanur Rahman and Abir Shadman and Sudipta Romen Biswas and Kanak Datta and Quazi D. M. Khosru},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.03681},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 6 Figures