采用原子层沉积栅介质的高产率碳纳米管场效应晶体管存储单元
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2 材料科学
摘要
碳纳米管场效应晶体管（CNT FETs）已被提议作为未来纳米电子学的可能构建模块。但 CNT FETs 面临的一个挑战是，它们在转移特性中似乎随机表现出不同程度的迟滞现象。这种迟滞通常归因于纳米管与栅极之间介电层中的电荷俘获。本研究包含 94 个 CNT FET 样本，为五种不同 CNT-栅极配置中观察到的迟滞现象提供了前所未有的统计基础。我们发现，通过精心设计纳米级厚度的栅介质层，可以控制存储效应。通过在三层配置中使用 HfO和 TiO的原子层沉积（ALD），我们实现了首批在转移特性中具有consistent且分布狭窄的存储效应的 CNT FETs。
引用
@article{arxiv.0801.2359,
title = {High-Yield of Memory Elements from Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Atomic Layer Deposited Gate Dielectric},
author = {Marcus Rinkiö and Andreas Johansson and Marina Y. Zavodchikova and J. Jussi Toppari and Albert G. Nasibulin and Esko I. Kauppinen and Päivi Törmä},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.2359},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 3 figures; added one reference, text reformatted with smaller additions