悬浮生长态碳纳米管器件的简易制备
介观与纳米尺度物理
2009-09-22 v1 材料科学
摘要
报道了一种简单可扩展的方案，用于制备悬浮碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET），而无需将原始生长态碳纳米管暴露于后续化学处理中。通过控制悬浮纳米管的密度并在同一电极组上多次重复制备器件，展示了该技术的通用性和简便性。悬浮碳纳米管导致双极性输运行为，且磁滞可忽略。悬浮CNT-FET的Hooges常数（2.6 × 10⁻³）比SiO₂上的对照CNT-FET（5.6 × 10⁻²）低约20倍。
引用
@article{arxiv.0909.3679,
title = {Facile fabrication of suspended as-grown carbon nanotube devices},
author = {V. K. Sangwan and V. W. Ballarotto and M. S. Fuhrer and E. D. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.3679},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 4 figures