采用剥离工艺制造碳纳米管晶体管：局限性与前景
应用物理
2024-11-18 v1
摘要
碳纳米管场效应晶体管（CNT FETs）被视为下一代节能计算系统的有前景候选器件。虽然研究已采用剥离工艺来展示CNT FETs的性能，但该方法目前对提升单个FET性能构成挑战，且不适合可扩展制造。本文总结了剥离工艺的局限性，并指出未来制造技术的进步应优先发展刻蚀工艺。
引用
@article{arxiv.2411.10001,
title = {Manufacturing carbon nanotube transistors using lift-off process: limitations and prospects},
author = {Xilong Gao and Jia Si and Zhiyong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.10001},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 2 figures