CNTFET 的小信号参数提取与噪声分析
应用物理
2020-10-06 v1 软凝聚态物质
摘要
在微波电路设计中使用碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）需要对其性能进行恰当、即时且高效的描述。本工作描述了一种提取 CNTFET 等效电路参数的技术。该等效电路用于建模不同 CNTFET 技术在低频与高频下的动态与噪声性能，考虑了外在和内在器件参数以及接触电阻。金属/CNT 界面的接触电阻估计由基于 Y 函数的提取方法获得。噪声模型包含四个噪声源：热噪声、热沟道噪声、散粒沟道噪声与闪烁噪声。所提模型与针对无滞回实验数据校准的紧凑模型进行比较，该实验数据来自高频多管（MT）-CNTFET 技术。此外，其已应用于另一已制备 MT-CNTFET 技术的实验数据。两种情形下的比较显示参考数据（仿真与实验）与所提模型结果之间具有良好一致性。进一步研究了所制备参考器件的低频与高频噪声预估。两种研究技术的噪声结果表明，由于接触处及沿沟道存在肖特基势垒，散粒噪声主要贡献于总噪声。
引用
@article{arxiv.2010.02032,
title = {Small-signal parameters extraction and noise analysis of CNTFETs},
author = {Javier N. Ramos-Silva and Aníbal Pacheco-Sánchez and Mauro A. Enciso-Aguilar and David Jiménez and Eloy Ramírez-García},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.02032},
year = {2020}
}