用于传感器应用的应变碳纳米管晶体管经验输运模型
介观与纳米尺度物理
2017-06-30 v1
摘要
我们提出了一个用于应变传感器的碳纳米管（CNT）晶体管近弹道输运的经验模型。该模型通过考虑声子散射和热激发载流子，描述了应变对CNT输运的内在影响。由于该模型依赖于电子能带的半经验描述，不同级别的电子结构计算结果均可作为输入。结果表明，半径大于0.7nm的应变单壁CNT的电子结构在传感范围内可由一个完全解析的模型描述。对于直径较小的CNT，可将电子结构计算的参数化数据用于该模型。根据CNT的类型，施加应变时电导可变化数个数量级，这与现有文献一致。此外，我们展示了通过外部栅极对传感器进行调控，这允许改变信号幅度和应变灵敏度。这些参数必须加以平衡以获得良好的传感特性。由于其本质上的解析性，该输运模型可表述为用于电路仿真的紧凑模型。
引用
@article{arxiv.1706.09611,
title = {Empirical transport model of strained CNT transistors used for sensor applications},
author = {C. Wagner and J. Schuster and T. Gessner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.09611},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 10 figures