超低噪声多壁碳纳米管晶体管
介观与纳米尺度物理
2014-05-06 v3
摘要
我们报告了对中等尺寸准弹道半导体多壁碳纳米管（IS-MWCNT）器件的实验噪声研究。其噪声比单壁纳米管（SWCNTs）低两个数量级，且在研究范围内无长度依赖性。在这些沟道限制型器件中，肖特基势垒很小或可忽略不计，研究表明噪声源于栅介质中电荷陷阱的内在电势涨落。与扩散 McWhorter 模型相比，弹道电荷噪声模型能更好地解释归一化噪声的栅压依赖性。结果表明，IS-MWCNT 的噪声特性更接近 SWCNTs 而非较厚的 MWCNTs。这些结果可用于未来分析其他纯弹道纳米尺度器件中的噪声。
引用
@article{arxiv.1304.2851,
title = {Ultra-Low Noise Multiwalled Carbon Nanotube Transistors},
author = {Olli Herranen and Deep Talukdar and Markus Ahlskog},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.2851},
year = {2014}
}