小直径单壁碳纳米管的偏压依赖性与电击穿
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们研究了大量通过催化化学气相沉积（CCVD）生长的、直径非常小的单壁碳纳米管（SWCNTs）的电击穿和电导的偏压依赖性。通过在电极结构上生长并随后进行化学镀钯沉积，可以方便地制备数千个接触良好的SWCNTs。几乎所有测量的SWCNTs在室温下都至少表现出微弱的栅极依赖性。在“正常”半导体性SWCNTs和小带隙半导体性（SGS）SWCNTs之间，发现了电导和击穿行为的巨大差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410336,
title = {Bias Dependence and Electrical Breakdown of Small Diameter Single-Walled Carbon Nanotubes},
author = {R. V. Seidel and A. P. Graham and B. Rajasekharan and E. Unger and M. Liebau and G. S. Duesberg and F. Kreupl and W. Hoenlein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410336},
year = {2009}
}
备注
submitted to Journal of Applied Physics